X

關注微信公眾號了解更多信息

點擊屏幕其他地方可關閉此窗口

  • 序號

    專利號

    專利名稱

    授權公告日

  • 67

    201710018987.3

    一種用于GaN生長的具有隔離保護層的復合襯底制備方法

    2019-04-24

  • 68

    201611208338.1

    一種具有復合電子阻擋層的近紫外LED的制備方法

    2019-04-24

  • 69

    201610631817.8

    一種在金屬氮化鎵復合襯底上制備發光二極管的方法

    2019-04-24

  • 70

    201610631795.5

    在圖形化氮化鎵單晶襯底上制備氮化鎵發光二極管的方法

    2019-04-24

  • 71

    201610611552.5

    一種用于清洗Source的支架

    2019-04-24

  • 72

    201610598446.8

    一種垂直式HVPE設備用溫場改善裝置

    2019-04-24

  • 73

    201610611553.X

    一種HVPE設備用鎵舟反應器

    2019-04-24

  • 74

    201610373655.2

    一種在HVPE中高速率穩定生長GaN晶體材料的方法

    2019-04-24

  • 75

    201610139215

    一種激光輔助III-V族晶體生長裝置及方法

    2019-04-24

  • 76

    201610141887.5

    一種無損傷的GaN襯底激光剝離方法

    2019-04-24

  • 77

    201610029138.3

    一種在Si襯底上制備高遷移率AlGaNGaN電子功率器件的方法

    2019-04-24

  • 78

    201610017711.9

    一種氮化物單晶生長裝置和方法

    2019-04-24

  • 79

    201510656861.X

    一種聯動可調節的隔熱保溫裝置及使用方法

    2019-04-24

  • 80

    201510602684.7

    一種采用MOCVD技術制備深紫外LED的方法

    2019-04-24

  • 81

    201510519116

    一種大型垂直式HVPE反應室的裝配輔助裝置

    2019-04-24

  • 82

    201510443168.4

    一種清除HVPE設備管道尾氣沉積物的裝置及方法

    2019-04-24

  • 83

    201510395363.4

    一種在金屬氮化鎵復合襯底上外延無裂紋高晶體質量LED外延層的方法

    2019-04-24

  • 84

    201510116708.8

    一種采用MOCVD技術制備370-380nm高亮度近紫外LED的方法

    2019-04-24

  • 85

    201510116680.8

    一種采用MOCVD技術制備具有階梯式量子阱結構近紫外LED的方法

    2019-04-24

  • 86

    201510060950.8

    一種用于氣相外延生長半導體單晶材料的反應器

    2019-04-24

  • 87

    201510054617.6

    一種鎵源自動補給及回收裝置

    2019-04-24

  • 88

    201410686083.4

    一種在Si襯底上采用碳納米管作為周期性介質掩膜制備低位錯密度GaN薄膜的方法

    2019-04-24

  • 89

    201410687721.4

    一種在Si襯底上制備無裂紋GaN薄膜的方法

    2019-04-24

  • 90

    201410650342.8

    一種異質襯底表面改性調控基片彎曲度的方法

    2019-04-24

  • 91

    201410520437.8

    一種MOCVD中InN/LT-AlN復合應力釋放緩沖層技術

    2019-04-24

  • 92

    201410500175.9

    一種用于GaN生長的低應力狀態復合襯底的制備方法

    2019-04-24

  • 93

    201410498134

    一種用于GaN生長的低應力狀態復合襯底

    2019-04-24

  • 94

    201410421647.1

    一種在大尺寸Si襯底上制備高電子遷移率場效應晶體管的方法

    2019-04-24

  • 95

    201410421676.8

    一種采用MOCVD技術在GaN襯底或GaNAl2O3復合襯底上制備高亮度同質LE..

    2019-04-24

  • 96

    201410421706.5

    一種采用MOCVD技術制備高亮度近紫外LED的方法

    2019-04-24

  • 1

    200410009840.0

    GaN基外延層的大面積、低功率激光剝離方法

    2009-02-18

  • 2

    200610144316.3

    一種制備氮化鎵單晶襯底的方法

    2009-06-24

  • 3

    200610167605.5

    在異質基底上制備高質量GaN單晶厚膜的方法

    2009-06-24

  • 4

    200810225953.2

    利用固體激光器無損剝離GaN與藍寶石襯底的方法

    2012-01-25

  • 5

    201010617286.X

    一種多片大尺寸氫化物氣相外延方法和裝置

    2012-06-13

  • 6

    201010617788.2

    改進的激光準剝離消除GaN外延片殘余應力的方法

    2012-06-13

  • 7

    201120349715.X

    一種用多管道液體冷卻及溫度控制的法蘭裝置

    2012-06-13

  • 8

    201120349762.4

    一種免拆裝在線清潔的新型過濾裝置

    2012-06-13

  • 9

    201120355244.3

    一種石英管與金屬體連接結構

    2012-06-13

  • 10

    201010618011.8

    一種退火裝置和方法

    2012-07-11

  • 11

    201010617807.1

    獨立的金屬源系統向半導體生長設備提供金屬源氣體的方法

    2012-07-18

  • 12

    201220004381.7

    一種自動送料裝置

    2012-10-10

  • 13

    201110142242.0

    狹縫式多氣體輸運噴頭結構

    2012-11-21

  • 14

    201110276973.4

    一種用于半導體外延系統的基座

    2013-01-09

  • 15

    201220221883.5

    一種氣相外延設備進行材料生長的控制系統

    2013-02-06

  • 16

    201220320302.3

    一種晶片托盤

    2013-03-13

  • 17

    201220320305.7

    一種使氣體快速加熱至高溫的裝置

    2013-03-13

  • 18

    201110102031.4

    一種圖形化襯底

    2013-04-10

  • 19

    201220573278.4

    氣相外延材料生長多腔分步式處理裝置

    2013-06-19

  • 20

    201010617738.4

    一種含氯化銨尾氣的處理方法及其設備

    2013-07-24

  • 21

    201010617750.5

    圖形化GaN襯底的制備方法

    2013-08-28

  • 22

    201110453183.9

    一種單接觸式自轉公轉基舟

    2013-10-30

  • 23

    200910136458.9

    固體激光剝離和切割一體化設備

    2014-03-12

  • 24

    201330477184.7

    一種霧燈

    2014-06-11

  • 25

    201320727092.4

    一種安全高效的晶片夾具

    2014-07-10

  • 26

    201210151216.9

    采用金屬有機化合物氣相外延技術生長非對稱電子儲蓄層高亮度發光二極管的方法

    2014-08-27

  • 27

    201420457076.2

    一種便于更換可混合使用加熱方式的加熱裝置

    2015-01-21

  • 28

    201420262140.1

    一種用于晶圓片研磨拋光的支撐底座

    2015-01-28

  • 29

    201210306671.1

    一種通過缺陷應力去除技術自分離氮化鎵單晶材料制備自支撐襯底的方法

    2015-02-18

  • 30

    201420562470.2

    一種用于晶圓外延生長的分離式支撐底座

    2015-02-18

  • 31

    201210319877.8

    一種高溫生長晶片的卸載裝置及其卸載方式

    2015-04-22

  • 32

    201210533750.6

    一種制備隱形結構襯底的方法

    2015-04-22

  • 33

    201210274906.3

    具有車距安全功能激光霧燈

    2015-05-20

  • 34

    201210309119.8

    一種適用于GaN材料外延產業化的托舟

    2015-05-20

  • 35

    201210559376.7

    一種高溫環境下使用的液位控制裝置

    2015-07-22

  • 36

    201520162543.3

    一種轉移過程同期圖形化的GaN基復合襯底

    2015-07-29

  • 37

    201520162977.3

    一種陣列化轉移的GaN基復合襯底

    2015-08-19

  • 38

    201520264359.X

    一種含有擴散阻擋層的GaN基復合襯底

    2015-08-19

  • 39

    201310012395.2

    一種材料氣相外延用方形噴頭結構

    2015-09-16

  • 40

    201520213249.0

    一種新型的MOCVD噴淋頭清潔用刷頭

    2015-09-16

  • 41

    201210559395.X

    一種操作簡易的晶片夾具

    2015-10-07

  • 42

    201210303314.X

    用于改良外延過程中襯底晶片表面溫場的方法 2

    2015-11-04

  • 43

    201310318526.X

    一種液體輔助激光剝離方法

    2015-11-25

  • 44

    201210068033.0

    一種用于GaN生長的復合襯底的制備方法

    2016-01-20

  • 45

    201210559456.2

    一種晶片專用三夾頭夾具

    2016-01-27

  • 46

    201210559378.6

    半導體及微電子行業耐高溫防滑夾具

    2016-02-10

  • 47

    201310394554.X

    一種改進多片式外延材料厚度分布均勻性的氫化物氣相沉積裝置與方法

    2016-02-10

  • 48

    201520798181.7

    一種用于石英外套管安裝的夾具

    2016-03-02

  • 49

    201410028993.3

    一種氮化物半導體材料氣相外延用反應器設計及方法

    2016-04-27

  • 50

    201520962682.4

    一種大直徑石英外套筒安裝的輔助夾具

    2016-04-27

  • 51

    201521002074.5

    一種用于夾持石英腔體的安裝裝置

    2016-04-27

  • 52

    201310012409.0

    一種材料氣相外延用扇形噴頭結構

    2016-05-11

  • 53

    201310542018.X

    一種前驅物流場控制棒

    2016-05-11

  • 54

    201410031343.4

    一種用于氫化物氣相外延的反應器

    2016-05-18

  • 55

    201210559394.5

    一種多夾頭晶片夾具

    2016-06-01

  • 56

    201310601124.0

    一種可控前驅物通道

    2016-06-01

  • 57

    201210255792.8

    一種帶有防止金屬擴散保護層的復合襯底

    2016-06-27

  • 58

    201210119613.8

    一種制備GaN生長用圖形化藍寶石襯底的方法

    2016-06-29

  • 59

    200910136457.4

    固體激光剝離設備和剝離方法

    2016-06-29

  • 60

    201410398217.2

    一種利于穩定轉化率的反應裝置

    2016-08-24

  • 61

    201410196612.2

    一種可控反應物均勻分布的雙通道噴口結構

    2016-09-28

  • 62

    201620797442.8

    一種提高氯化氫轉化為氮化鎵效率的裝置

    2017-01-18

  • 63

    201410004051.1

    一種新型圖形化襯底及其制備方法

    2017-02-08

  • 64

    201720349115

    一種氫化物氣相外延石墨舟結構

    2017-12-29

  • 65

    201510656861.X

    一種聯動可調節的隔熱保溫裝置及使用方法

    2018-01-09

  • 66

    201610017711.9

    一種氮化物單晶生長裝置和方法

    2018-01-23

Copyright ? 2018 東莞市中鎵半導體科技有限公司 All Rights Reserved. ICP備案號:粵ICP備12004059號-1

技術支持:東莞網站建設動點

猫头鹰乐园彩金 掌乐天天捕鱼开挂 陕西福彩快乐10分开奖结果 2019天津双色球喜中12注 街电充电宝是如何赚钱的 我图网赚钱靠谱吗 江西快三走势图表 飞艇幸运计划软件下载 街机捕鱼平台 快三稳赚不赔的方法 问道手游卖70角色赚钱 大乐透走势图浙江风采超长版 排列三今天开奖号 小鸟赚钱软 打牌的游戏平台app 玩加拿大28稳赚不赔 美国德州麻将规则