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中鎵半導體產品亮相SEMICON

文章來源:zhongjia  點擊次數:54  更新時間:2019-12-28 19:00:21  【打印此頁】  【關閉


20191211日, SEMICON 2019年度國際展會于日本東京Tokyo Big Sight隆重開幕.東莞市中鎵半導體科技有限公司(以下簡稱中鎵半導體)攜最新氮化鎵自支撐襯底產品驚艷亮相,引起業內廣泛關注。

SEMICON 2019年度國際展會由國際半導體設備及材料協會主辦,作為全球最具影響力的半導體工業設備展覽會及亞洲具有重要影響力的半導體工業綜合展會,該展集中展示半導體產業的未來趨勢及技術應用與創新,是各國半導體企業重要的技術交流平臺,也是進入日本市場的貿易平臺。

GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,作為研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好等性質和強的抗輻照能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

展會期間,中鎵半導體此次展出的2英寸及4英寸氮化鎵自支撐襯底產品吸引了全球各界人士駐足參觀、交流,公司專家現場進行講解,贏得業界高度評價。

中鎵半導體作為一家世界級GaN材料制造商,將持續加強技術開發及工藝優化的力度,為全球客戶提供世界領先級產品及服務,為半導體行業貢獻自己的一份力量!

 

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