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Application Scheme

公司簡介

Company Profile

東莞市中鎵半導體科技有限公司成立於2009年1月,總部設於廣東東莞,總註冊資本為1.3億元人民幣,總部設立廠房辦公區等共17000多平方米,並在北京設 立面積達1000平方米的大型研發中心,為中國國內首家專業生產氮化鎵(GaN)襯底材料的企業。

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