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  • - 公司成立

    東莞市中鎵半導體科技有限公司成立于2009年1月,總部設于廣東東莞,總注冊資本為1.3億元人民幣,總部設立廠房辦公區等共17000多平方米,并在北京設 立面積達1000平方米的大型研發中心,為中國國內首家專業生產氮化鎵(GaN)襯底材料的企業。

  • - 人才隊伍

    企業以北京大學寬禁帶半導體研究中心為技術依托,引進國內外優秀的技術及管理團隊, 2010年獲建博士后工作站,截至2019年有院士1人,教授級別人員共 1人,博士9人,碩士27人,擁有先進的技術及管理優勢。

  • - 公司資質和榮譽

    2009年成立北大中鎵半導體研究中心;同年被廣東省人民政府批準的首批創新科研團隊;成為廣東省現代產業500強項目;被廣東省科學技術廳評為“國際科技合作基地”。

    2011年被全國高科技質量監督廣東委員會評為“廣東省科技創新質量管理先進單位”;同年被廣東省科學技術廳評為“廣東省民營科技企業”、被廣東省經濟和信息化委員會評為“廣東省戰略性新興產業骨干企業”。

    2015年10月,公司被科學技術部認定為“國家國際科技合作基地”。入選《廣東經濟》理事學會理事單位、東莞市電子元件協會常務副會長單位、東莞電子信息產業數碼產業協會常務副會長單位、東莞市半導體行業副會長單位、CSA國家半導體照明工程研發及產業聯盟成員單位等。

    2017年11月,公司榮獲全國半導體設備和材料標準化技術委員會2017年度“突出貢獻獎”。

    2018年11月,中鎵半導體科技有限公司的4英寸氮化鎵藍寶石復合襯底、6英寸硅基氮化鎵功率器件外延片被認定為“廣東省高新技術產品”。

  • - 主營業務與專利技術

    公司創造性采用MOCVD技術、HVPE技術相結合的方法,研發、生產產品包括:氮化鎵(GaN)半導體襯底材料,GaN/AI2O3復合襯底、GaN單晶襯底及氫化物氣相外延設備(HVPE)等,主要應用于MiniLED& MicroLED、車燈、激光器、功率器件、射頻器件。

  • - 公司發展與規劃

    公司已建成國內首家專業的氮化鎵(GaN)襯底材料生產線,制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底,并能夠穩定生產。

    相關產品技術達到國際先進乃至國際領先水平,形成世界一流的國內最大型的襯底材料及半導體設備的生產基地。公司擬以襯底核心技術為基礎,全面進入氮化物半導體技術的研發和生產,實現完整的產業鏈的垂直整合結構發展,打造國際一流的大型半導體材料科研生產基地,逐步推進形成達百億產值的半導體產業集群。

  • - 公司愿景

    公司立足中國,放眼全球,竭力為半導體行業帶來一個新的契機!

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